SI7820DN-T1-GE3 तकनीकी विशिष्टताएँ

MOSFET N-CH 200V 1.7A 1212-8

उत्पाद गुण मान बताइए
Category असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद / ट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगल
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 1.5W (Ta)
Package / Case PowerPAK® 1212-8
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
उत्पाद गुण मान बताइए
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PowerPAK® 1212-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 240 mOhm @ 2.6A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.7A (Ta)
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SI7820DN SI विशिष्ट हॉट आईसीएस 2433
SI7820DN-T1-E3 Vishay / Siliconix ट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगल 677
SI7820DN-T1-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay ट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगल 7709
SI7820DN-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay ट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगल 4714
SI7820DN-T1-GE3 Vishay Siliconix सिंगल MOSFETs ट्रांजिस्टर
SI7820DN-T1-GE3 IC Vishay Precision Group विशिष्ट हॉट आईसीएस 458

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