SQM40010EL_GE3 तकनीकी विशिष्टताएँ

MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK

उत्पाद गुण मान बताइए
Category असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद / ट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगल
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 375W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 230nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
उत्पाद गुण मान बताइए
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6 mOhm @ 30A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 17100pF @ 20V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120A (Tc)
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SQM40010EL_GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay ट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगल 2779
SQM40014EM_GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay ट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगल 2509
SQM40016EM_GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay ट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगल 2540
SQM40022EM_GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay ट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगल 2674
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