SIE878DF-T1-GE3 तकनीकी विशिष्टताएँ

MOSFET N-CH 25V 45A POLARPAK

उत्पाद गुण मान बताइए
Category असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद / ट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगल
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package 10-PolarPAK® (L)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.2 mOhm @ 20A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1400pF @ 12.5V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
उत्पाद गुण मान बताइए
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 5.2W (Ta), 25W (Tc)
Package / Case 10-PolarPAK® (L)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 45A (Tc)
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SIE878DF-T1-GE3 दस्तावेज़

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SIE874DF-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay ट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगल 3280
SIE874DF-T1-GE3 Vishay / Siliconix ट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगल 352
SIE876DF-T1-GE3 Vishay / Siliconix ट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगल 2530
SIE876DF-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay ट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगल 2748
SIE878DF-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay ट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगल 2641

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