IRF7380QTRPBF तकनीकी विशिष्टताएँ

MOSFET 2N-CH 80V 3.6A 8-SOIC

उत्पाद गुण मान बताइए
Category असतत सेमीकंडक्टर्स / MOSFETs ट्रांजिस्टर एरेज़
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Supplier Device Package 8-SO
Published 2014
Part Status Obsolete
Max Operating Temperature 150°C
Max Power Dissipation 2W
Number of Elements 2
Turn On Delay Time 9 ns
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.6A
Rise Time 10ns
Fall Time (Typ) 17 ns
Continuous Drain Current (ID) 3.6A
Input Capacitance 660pF
Drain to Source Resistance 73mOhm
Height 1.4986mm
Width 3.9878mm
RoHS Status RoHS Compliant
उत्पाद गुण मान बताइए
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Packaging Cut Tape (CT)
Series HEXFET®
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Min Operating Temperature -55°C
Base Part Number IRF7380QPBF
Power Dissipation 2W
Power - Max 2W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 73mOhm @ 2.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 660pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 80V
Turn-Off Delay Time 41 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
FET Feature Logic Level Gate
Rds On Max 73 mΩ
Length 4.9784mm
Radiation Hardening No
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IRF730 Vishay / Siliconix ट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगल 1408
IRF730 STMicroelectronics ट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगल 9119
IRF730 Electro-Films (EFI) / Vishay ट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगल 9174
IRF730 Rochester Electronics, LLC सिंगल MOSFETs ट्रांजिस्टर
IRF730 IC IR विशिष्ट हॉट आईसीएस 716
IRF7301 IR विशिष्ट हॉट आईसीएस 4875
IRF7301PBF International Rectifier (Infineon Technologies) ट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - एरेज़ 5483
IRF7301PBF Infineon Technologies MOSFETs ट्रांजिस्टर एरेज़
IRF7301TR IR विशिष्ट हॉट आईसीएस 3787
IRF7301TR IC IR विशिष्ट हॉट आईसीएस 898

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