SI5458DU-T1-GE3 तकनीकी विशिष्टताएँ

MOSFET N-CH 30V 6A PPAK CHIPFET

उत्पाद गुण मान बताइए
Category असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद / ट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगल
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 3.5W (Ta), 10.4W (Tc)
Package / Case 8-PowerVDFN
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A (Tc)
उत्पाद गुण मान बताइए
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package 8-PowerPak® ChipFet (3x1.9)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 41 mOhm @ 7.1A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names SI5458DU-T1-GE3TR SI5458DUT1GE3
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 27 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 325pF @ 15V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Detailed Description N-Channel 30V 6A (Tc) 3.5W (Ta), 10.4W (Tc) Surface Mount 8-PowerPak® ChipFet (3x1.9)
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SI5456DU-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay ट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगल 2739
SI5456DU-T1-GE3 Vishay / Siliconix ट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगल 2524
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SI5457DC-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay ट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगल 2618
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